2003/09/07

　　日前，由韩国三星集团副总裁Mr. Samuel Chung带领一行二十余人组成的代表团，在中科院有关领导及院国际合作局领导的陪同下，到物理所进行访问，并专程参观了物理所纳米物理与器件实验室。

代表团在实验室主任高鸿钧研究员带领下，Mr. Samuel Chung及其随行人员参观了部分课题组，并简要听取了相关负责人对各自科研工作情况的介绍。

实验室副主任陈小龙研究员首先向代表团成员介绍了，实验室目前正在进行的宽带隙半导体SiC、GaN等晶体生长的进展情况，并展示了多年来生长的十余种激光晶体和非线性光学晶体，以及目前生长的2英寸SiC晶体。韩国客人仔细询问了各种晶体的生长情况、功能和产业化问题，对目前生长的宽带隙半导体晶体表现出浓厚的兴趣。接着，高鸿钧研究员向代表团成员介绍了实验室在UHV-STM上，进行的半导体基底上纳米团簇自组装的研究工作，并向他们展示了这项工作所取得的最新科研成果，其中实验上观测到的Si(111)-7*7单胞上6个静止原子和12个吸附原子的同时成像，指出这是目前世界上Si(111)-7*7可观察到静止原子的分辨率最好的实验结果。同时向他们介绍了实验室拥有的NP-OMBE-LTSTM联合系统的主要功能、结构及应用范围。代表团成员还参观了多模式SPM分析系统、ICB-TOFMS薄膜制备系统及微弱信号(aA)检测系统等仪器设备和化学实验室。

在参观过程中，韩国三星集团副总裁Mr. Samuel Chung对纳米物理与器件实验室的研究工作和取得的成果给予了高度评价，双方就感兴趣的问题交换了意见，对今后可能进行合作的研究方向进行了初步探讨，为加强彼此间的了解与交流起到了积极的推动作用。

来源：中国科学院